📌 #国务院公布新修订集成电路布图设计保护条例

🔬 科技 · 知识产权

🔥 25年来首次全面修订，将光子芯片、量子芯片纳入法定保护范围，中国集成电路知识产权保护迈入后摩尔时代。

2026年8月3日，#国务院公布新修订集成电路布图设计保护条例#（国务院令第842号），这是该条例自2001年颁布以来的首次系统性修订，将于2026年10月15日起正式施行。新条例共6章54条，由国务院总理李强签署，此前已于7月10日经国务院第91次常务会议修订通过。与原条例相比，本次修订在保护范围、审查程序、侵权惩处和成果运用四个方面均有重大突破。

最引人注目的是，新条例明确将集成光子、量子等功能的集成电路布图设计纳入法定保护范围。这意味着硅光芯片、量子计算芯片等新型集成电路的知识产权保护有了直接的法律依据。司法部专家解读指出，当前传统芯片制程已趋近物理极限，产业正迈入以新架构、新机理为竞争主线的后摩尔时代，此次修订正是对技术前沿的精准回应。

修订的一大亮点是新增"独创性声明"制度。过去，布图设计登记时很难准确界定独创性边界，导致确权模糊、维权成本高。新条例要求申请人在登记阶段就必须提交书面声明，明确指出布图设计的独创性部分，将抽象的法律要件转化为可审查、可举证的具体文件。中国社科院法学所专家指出，这一制度让权利边界在登记时即被固定，既防止权利人"钓鱼维权"，也降低了转让许可中的评估成本。

同时，新条例加大了对虚假申请的规制力度，完善了驳回和撤销程序，并新增权利恢复程序，为因不可抗力错失期限的权利人提供了救济途径。在保护力度上，条例明确了惩罚性赔偿和侵权赔偿的适用标准，侵权违法成本显著提高。

新条例的出台与国家"十五五"规划高度衔接。规划明确提出要"推进存算一体、三维集成、光电融合等技术突破应用"，新条例将光子、量子等新型集成电路纳入保护，为国产芯片自主创新提供了坚实的制度保障。条例还强调促进布图设计运用，要求加强公共服务、完善转让许可出质规则、明确奖酬措施，让创新成果真正流动起来。

从产业角度看，光电融合集成、硅光光子集成等技术正处于商业化前夜，清晰的知识产权规则将有力吸引社会资本投入，加速从实验室到产业化的跨越。此次修订既是规范市场秩序的"紧箍咒"，更是激励技术突围的"助推器"。

综合新华社、司法部官网、国务院政策文件库报道 | 2026-08-09