10月4日消息，据报道，美国智库科技与治国方略中心（CTS）发布报告称，截至2026年初，中国晶圆厂已累计获得约343台浸没式深紫外（DUV）光刻系统。
报告估计，这批设备中约270台为ASML的Twinscan NXT:1980i，另有28台更先进的NXT:2050i和NXT:2100i，以及约45台较旧机型。
报告指出，资金投入方面，仅2024年和2025年，中国芯片制造商就分别进口了约90台和89台NXT:1980i，两年支出超过130亿美元（约合人民币872亿元）。
NXT:1980i虽非最先进机型，但可用于生产7纳米逻辑芯片和HBM2e高带宽内存，后者正是华为昇腾系列AI加速器所需的关键部件。
报告作者估算，在配套设备充足的中国晶圆厂，一台NXT:1980i每年可能支持生产超过10万颗昇腾910C等效芯片。
公开资料显示，中国占ASML浸没式DUV出货量的比例，从2022年的26%升至2024年第一季至2026年第一季期间的60%至70%。
不过中国市场占ASML系统净销售额的比例近期有所下降，从2024年的41%降至2025年的33%，2026年第一季和第二季进一步降至19%和14%。
报告作者警告，即使设备最初售予成熟制程晶圆厂，也可能日后被用于先进芯片生产，呼吁美国及盟友全面禁止向中国出口浸没式DUV设备。
这批设备的理论支撑能力也远超当前需求，足够支撑7nm芯片生产数年。这也是美智库呼吁全面禁售浸没式DUV的核心原因。
