9月15日消息，日经新闻近日汇总对比了韩国三星电子、SK海力士、美国美光科技（3-5月）、铠侠、闪迪以及长鑫科技（4-6月）的财报。
结果显示，长鑫科技2026年4至6月营业利润换算约1.9万亿日元，利润率高达82%，超越SK海力士（76%）和三星半导体业务（70%），在全球存储芯片企业中排名第一。
长鑫主营通用型DRAM，产品包括DDR5，而三星和SK海力士将产能优先投向AI服务器所需的HBM，导致通用DDR5供应减少、价格急剧上涨，长鑫从中获益最大。
HBM通常与云服务商签订年度供应协议，受短期波动影响小，DDR5随行就市，价格上涨直接传导到长鑫的利润表。
此外存储行业因周期性波动导致利润不稳定，三星、SK海力士和铠侠的市盈率均维持在个位数，而长鑫接近20倍，反映投资者对其增长预期较高。
国产NAND领域同样在追赶，长江存储已提交上市申请，Q2 NAND出货量份额达14%跃居全球第三，与铠侠（14%）、美光（13%）、闪迪（13%）胶着。
日经认为，一旦中国厂商产能释放并发起攻势，现有存储市场格局可能被改写。
