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🔥 中国团队历时5年攻关，全球首款碳化硅超级结MOSFET正式亮相，功率密度提升81%，首批面向AI服务器电源
9月7日，上海，一场名为
"破界·启新"的发布会宣告了中国在功率半导体领域的里程碑式突破。瑶芯微电子联合西安电子科技大学郝跃院士团队，正式发布全球首款碳化硅超级结MOSFET产品。这不仅是实验室走向产业化的"从0到1"，更是对全球约80%由海外企业垄断的碳化硅功率器件市场的有力冲击。
碳化硅超级结技术被业界公认为下一代功率器件的突破方向。海外头部企业将其定位为2027年至2031年的主力技术路线，但因电荷平衡控制极难、工艺精度要求极高，长期停留在实验室阶段。瑶芯微团队自2021年起联合攻关，攻克了兆电子伏特量级高能离子注入、多层外延厚度与掺杂精度控制等关键技术，首次将理想电荷平衡点拓展为可容忍工艺波动的设计安全区间。
此次发布的1200V碳化硅超级结MOSFET公布了一组令人瞩目的性能指标：耐压高达1635V，室温和175°C高温下比导通电阻分别低至1.27毫欧·平方厘米和1.5毫欧·平方厘米。25°C到125°C范围内实现导通电阻零温漂，175°C温度系数小于1.2倍，相较平面或沟槽技术1.8至2.2倍的温度系数取得实质突破。器件BFOM（品质因数）达2.1吉瓦每平方厘米，功率密度提升81%。
这意味着什么？在新能源汽车主驱、车载电源、AI服务器电源等对功率密度要求极高的领域，同样性能下芯片面积可显著缩小，叠加8英寸晶圆制造优势，单芯片成本有望大幅下降。目前已通过车规级AEC-Q101标准认证，与芯联集成启动量产合作，首批产品将面向数据中心高压直流供电系统和AI服务器电源。
据Yole集团数据，2025年全球碳化硅功率器件市场规模约37亿美元，预计2030年将突破100亿美元。中国虽是最大应用国，但市场份额长期由海外企业主导。此次突破标志着国产功率器件从"跟跑"向"并跑"甚至"领跑"的关键一跃。
综合科创板日报、上海证券报、36氪报道 | 2026年9月9日