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AI算力爆发倒逼存储军备竞赛，三星把4nm产线大半换成HBM4的"算盘"，藏着对英伟达的野心

一、满产4nm，过半给HBM4打基础

9月8日消息，据环球网援引Wccftech和韩国科技媒体ZDNet Korea报道，受全球AI算力驱动高带宽内存（HBM）需求持续远超供给的影响，三星电子已将旗下4纳米制程超过50%的产能，分配给HBM相关内存芯片的核心基础裸片生产。这部分产能目前已处于满负荷运转状态，全力支撑HBM4产品的产能爬坡。

三星平泽第二园区与第三园区的S5、S6两条晶圆产线，4纳米工艺总月产能达3万片晶圆，其中1.5万片已定向供给HBM4基础裸片。HBM堆叠结构中，底层基础裸片采用逻辑芯片工艺生产，对工艺要求随存储技术迭代持续提升。三星凭借同时自研DRAM存储芯片与基础裸片的独特优势，在HBM赛道形成了差异化竞争力。

二、市场份额翻倍，激进打法抢占先机

截至2026年8月，三星4纳米产能中已有50%至60%投入HBM4基础裸片生产。行业数据显示，2026年第二季度三星HBM全球市场份额已攀升至38%，较一年前的15%实现翻倍增长，产能的持续倾斜将进一步巩固其在高带宽内存市场的上升势头。

相比之下，SK海力士选择将HBM基础裸片外包给台积电，并采用初代HBM4使用成熟1b工艺先保良率；美光则在技术选择上相对谨慎，目前主要任务仍是产能爬坡。业内估计，三星和SK海力士当前的HBM月产能均在15万至20万片之间，而美光目标是在今年底达到10万片。三家公司在HBM4芯片上采取了不同的技术路线，竞争日趋白热化。

三、2纳米瞄准英伟达，下一代卡位战已打响

三星的野心不止于此。继8月相关报道披露后，外媒进一步确认，三星正在评估将2纳米先进工艺应用于HBM基础裸片的技术路线，计划改造位于器兴工业区的一条现有产线，专门用于生产2纳米工艺的HBM基础裸片。这部分下一代产品将定向供应给AI芯片巨头英伟达，为其后续新一代AI加速芯片提供配套支持。

KB Securities在报告中指出，三星和SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天的供应量，明年可用供应将明显不足。人工智能数据中心的高需求是造成当前内存芯片严重供不应求的关键。三星的激进打法，说白了就是在赌AI算力需求将持续爆发——如果赌对了，三星就能在下一代HBM市场占据绝对主动。

综合环球Tech、财联社报道 | 2026年9月8日