🎯 财经 · 半导体

🔥 AI基建投资飙至1.3万亿美元，HBM4产能挤占致存储芯片"历史性短缺"

9月7日，韩国券商KB Securities发布报告警告，三星电子与SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天的供应量，明年DRAM与NAND的比特需求将超出供应10个百分点以上，可供销售的存储芯片物量存在耗尽的可能性。

KB证券研究主管Kim Dong-won将上述局面定性为"历史性短缺"。加剧短缺的一个关键因素是向下一代高带宽存储器HBM4的过渡——生产一片HBM4晶圆所消耗的产能相当于三片传统DRAM晶圆，HBM4全面量产势必大幅减少传统DRAM的可用产能。

一、AI基建投资飙涨，存储芯片成最大受益者

KB证券预计，全球超大规模数据中心运营商明年在AI基础设施上的投资将达1.3万亿美元，同比增长60%。存储半导体在AI基建投资中的占比将从2025年的14%跃升至2027年的57%，两年扩大约4倍。集邦科技(TrendForce)的预测更为激进，预计2026年这一比重将达68%。

四大美国云巨头2026年合计资本支出预计达7250亿美元，2027年更将突破1万亿美元。AI服务器不仅消耗HBM内存，还会同步吸收服务器DDR5内存和企业级eSSD需求，多品类共振进一步加剧供应压力。

二、HBM4产能挤占，结构性短缺难解

三星正将约半数4纳米产能投入HBM4基础裸片生产。2026年二季度，三星HBM市场份额达38%，较一年前的15%大幅提升；SK海力士则从64%降至50%，客户多元化趋势明显。

KB证券预测，SK海力士2026年DRAM均价同比暴涨194%、NAND均价涨244%；三星DRAM涨297%、NAND涨256%。SK海力士2026年全年营业利润预计达277万亿韩元，营业利润率高达78.1%，为全球半导体行业最高。

三、股价回调反衬估值洼地

尽管内存市场供不应求，三星电子和SK海力士股价近三个月较高点下跌约38%，三星较高点跌去近28%。KB证券指出，两家公司明年业绩对应市盈率仅约3倍，处于"极度低估"状态，预计强力重估行情即将启动。

当AI盈利模式从概念走向收入，存储芯片的"历史性短缺"正在重塑全球半导体周期。

综合财联社、华尔街见闻、韩国ZDNet Korea报道 | 2026年9月7日