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🔥 #长鑫存储DRAM全球市占首破10%# 中国芯片突围打破三强格局

一、长鑫Q2市占10% 首次跻身全球第四

长鑫存储第二季度DRAM全球市占率达到10%，同比增长4个百分点，首次跻身全球第四。DRAM市场Q2营收同比大幅增长385%，显示出强劲的增长势头。

全球DRAM市场格局：三星电子稳居第一，市占率约38%；SK海力士第二，市占率约30%；美光科技第三，市占率约25%；长鑫存储第四，市占率突破10%。中国芯片企业在存储领域实现突破，打破了三强垄断格局。

二、国产存储芯片突围之路

长鑫存储由合肥市政府主导，2016年成立，专注DRAM研发和生产。经过多年技术积累，成功实现19nm制程量产，并逐步向更先进制程迈进。2024年，长鑫存储推出17nm制程产品，性能接近国际主流水平。

长鑫存储的成功，是中国半导体产业自主可控的重要一步。在全球供应链不确定性增加的背景下，国产存储芯片的突破具有战略意义。

三、DRAM市场供需格局变化

2026年DRAM市场迎来新一轮上行周期。AI服务器、数据中心、智能手机等需求持续增长，推动DRAM价格回升。长鑫存储抓住市场机遇，产能利用率显著提升。

市场预期：机构预测，到2027年长鑫存储DRAM市占率有望达到15%，进一步巩固全球第四地位。中国存储芯片产业正迎来发展的黄金期。

综合证券时报、第一财经报道 | 2026-09-06