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🔥 中国半导体设备龙头再下一城，六款新品实现前道关键环节全覆盖

一、六款新品密集发布，覆盖刻蚀到薄膜沉积全链条

9月1日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）上，中微公司一口气推出六款自主研发的全新微观加工设备。这六款新品覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键工艺环节，标志着中微公司已实现先进逻辑制程、功率半导体工艺、薄膜沉积、精密刻蚀等核心环节的全栈覆盖。

其中，PrimoXD-RIE™刻蚀机可实现70:1到90:1的极高深宽比刻蚀，依托完全自主知识产权研发制造，采用全新工艺气体架构，有效降低温室气体排放。 PerformoQuaStar®ON则是PECVD系列首款产品，面向3D闪存氧化硅/氮化硅叠层沉积工艺，单系统最多可同时处理16片晶圆，毫秒级工艺控制确保叠层之间膜厚与性能高度一致。

二、产能突破与全球竞争格局

自2004年成立以来，中微公司已开发出54种高端半导体设备，包括26种等离子体刻蚀机和24种各类薄膜设备，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产。2012年至今，企业已连续14年保持平均年销售超35%的增长，人均年销售额达450万元。目前50多种设备产品已覆盖超过30%的前道集成电路设备产品。

分析人士指出，在全球半导体设备市场被应用材料、阿斯麦、东京电子等欧美日巨头垄断的背景下，中微公司的平台化布局正在打破技术壁垒，尤其在刻蚀领域已达到国际先进水平。此次六款新品同步发布，意味着国产半导体设备从单点突破迈向系统性替代的关键一步。

三、国产替代加速，产业链安全有保障

当前，全球半导体供应链重构加速，国产替代成为行业主线。中微公司持续加大研发创新力度，通过自主开发与外延并购双轮驱动，正努力成为全球领先的高端设备平台型公司。在存储芯片"层数竞赛"持续升级、DRAM制程不断微缩的当下，刻蚀精度和薄膜均匀性的硬性要求倒逼国产设备加速迭代。

业内预计，随着中微六款新品的量产导入，国产晶圆厂在上游设备端的自主可控能力将进一步增强，为中国半导体产业的长期安全提供坚实保障。中国半导体设备的"硬核"突围，正在一步步从图纸走向产线。

综合科技日报、证券时报报道 | 2026年9月6日