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一、存储格局被改写铠侠以NAND替代部分DRAM，单机内存容量翻倍、整体吞吐提升约30%，成本仅DRAM的55%
9月4日，铠侠在东京存储战略沟通会上抛出一项大胆方案：用CXL 3.0内存扩展模块替代部分DRAM插槽。这款模块以增强型SLC缓存层NAND配合自研控制器，读取延迟压到传统NAND产品的十分之一以下，性能已接近DRAM水平。
AI服务器过去几乎全靠DRAM做临时数据存储。但DRAM扩容成本高企，已成为AI数据中心普及的核心瓶颈。铠侠的方案直接剑指这一痛点。单机内存容量翻倍、整体吞吐提升约30%——这是铠侠官方测试数据，目前正处于客户评估阶段。
二、技术路径与商业逻辑从技术层面看，铠侠的方案并非简单地将NAND当作缓存。其核心在于高速NAND颗粒叠加SLC缓冲层，配合电容掉电保护，做成"伪DRAM"块设备，通过CXL.mem协议暴露给CPU作为均匀内存地址空间。相比传统SSD缓存少了一次块层拷贝，延迟从百微秒级降到十微秒级。
商业定位上更是精准。三星、SK海力士、美光三家同时覆盖DRAM和NAND两条产品线，铠侠只做NAND，故借CXL切入内存扩展市场——不吃DRAM原厂价格战，但能吃AI机柜内存扩容预算。单模块成本约为同容量DRAM的55%，对成本敏感的AI算力中心来说，这个差价极具诱惑力。
三、未来布局与竞争格局铠侠同时展出了面向AI负载的Enterprise SSD样品，计划2028年提供读写增强版对接英伟达GPU池，与HBM形成分层互补。这意味着铠侠正试图构建"NAND替代DRAM→GPU直连SSD→与HBM分层互补"的完整存储战略。
不过，风险同样存在。CXL内存持久化语义、故障域隔离、多主机共享一致性等关键技术尚未到生产级，英伟达GPU直连CXL内存需CUDA 13.2以上支持，端到端跑通至少要到2026下半年。但无论如何，NAND替代DRAM已从概念走向实装评估，AI存储格局正在被重新定义。
综合IT时代网、快科技、证券时报报道 | 2026年9月5日