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🔥 美光计划年底HBM月产能翻至10万片，直追三星海力士，AI芯片军备竞赛全面升级

9月4日，据韩联社援引业内知情人士消息，美光科技计划到2026年底将HBM月产能提升至约10万片晶圆，较2025年每月约4万至5万片的水平接近翻倍。这一扩产计划不仅意味着美光将在HBM市场发起猛烈进攻，也标志着全球AI芯片核心存储的产能竞赛已进入白热化阶段。

HBM（高带宽内存）是AI加速器的"生命血液"，直接决定GPU的算力发挥上限。美光此次扩产动作，核心目标是抢占英伟达Vera Rubin平台的12层HBM4订单。目前美光HBM产出仍以12层HBM3E为主，但12层HBM4的占比预计将从2026年初的约20%至30%，大幅提升至年底的最高50%。据美光CEO梅赫罗特拉今年6月透露，HBM4的累计出货营收已突破10亿美元，产能爬坡速度约为HBM3E的两倍。

尽管美光雄心勃勃，但与韩国双雄的制造体量差距仍然悬殊。业内估算显示，三星电子与SK海力士当前的HBM月产能均在15万至20万片之间，分别是美光目前水准的3至4倍。从市场份额看，2026年第二季度SK海力士以50%份额位居全球HBM市场第一，三星电子占32%，美光仅占18%

为缩小差距，美光已向HBM设备供应商追加采购订单，新设备正在其中国台湾与新加坡的生产基地安装。值得注意的是，美光还在为下一代产品布局——预计HBM4E将于2027年开始放量，首批样品将采用1-gamma（1γ）制程的DRAM模组打造，核心DRAM升级至首次导入EUV的1γ工艺，基底芯片转由台积电代工。这种"超前押注"策略，显示出美光在HBM领域的长期决心。

美光此次大举扩产的底层逻辑，是AI加速器厂商对堆叠存储的消耗量不断攀升。可用产能已成为制约供应商出货与变现能力的核心因素。然而，新增产能能否被完全消化，很大程度上取决于英伟达Vera Rubin平台的出货节奏——毕竟这批HBM4产品几乎高度绑定英伟达的下一代AI加速器平台。

此外，存储市场本身也面临波动风险。Counterpoint数据显示，今年以来全球智能手机零售价格平均上涨15%，超过40%的机型经历涨价，存储等零部件成本上升持续挤压厂商利润。在这种背景下，美光的扩产决策既是抓住AI算力超级周期的窗口期，也是在赌未来一年内HBM需求能够持续旺盛。

综合财联社、快科技、证券时报报道 | 2026年9月5日