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🔥 铠侠推出CXL内存扩展模块，用NAND闪存替代部分DRAM，内存容量翻倍、性能提升30%

一、AI服务器内存危机：DRAM撑不住，NAND来救场

全球内存市场规模到2026年预计达8373亿美元，较上年增长3.8倍，AI驱动的需求正在快速扩容整个市场。然而，AI服务器对内存的需求呈指数级增长，DRAM面临容量扩展困难、成本高昂的双重困境。据铠侠披露，AI工作负载下，传统DRAM已难以满足快速增长的数据处理需求，而NAND闪存的单位容量成本远低于DRAM，这为技术替代提供了现实基础。

铠侠存储技术负责人松寺胜树表示："闪存需求正以前所未有的速度增长。"公司近日公布的战略清晰指向一个方向——用增强型NAND闪存技术替代部分DRAM功能。这项技术并非空穴来风，而是基于CXL（Compute Express Link）协议的内存扩展模块，目前正处于客户评估阶段。

二、CXL模块技术突破：延迟降至传统NAND的十分之一

铠侠的CXL模块将高速NAND闪存与专用控制器结合，可将数据读取延迟降至传统NAND产品的十分之一以下，使性能接近DRAM水平。据铠侠介绍，在系统中以CXL模块替换部分DRAM，可使内存容量翻倍，整体性能提升约30%。

这一数据虽为公司测试结果、尚未得到独立验证，但已引起市场高度关注。AI服务器通常配备多种内存类型，DRAM用于临时数据存储，读取速度优于NAND闪存，并与CPU协同完成计算。CXL模块的引入，有望打破这一固有架构，在成本和容量之间找到新的平衡点。

铠侠还展示了面向AI场景的新型固态硬盘（SSD）产品，计划于2028年开始提供可直接连接英伟达GPU的SSD样品。该SSD将与传统的堆叠式DRAM高带宽内存（HBM）形成互补，满足AI推理等新兴应用需求。

三、战略意图：在巨头围堵中另辟赛道

当前，铠侠主要专注于NAND闪存，而三星、SK海力士和美光等竞争对手同时覆盖NAND和DRAM业务，产品线更为多元。通过推出DRAM替代方案，铠侠希望在NAND之外抢占部分DRAM需求，以稳定盈利结构，降低市场波动带来的风险。

与此同时，铠侠正加速产能扩张——日本岩手县北上工厂Fab3厂房建设已启动，计划于2029财年正式投产，以扩充BiCS FLASH™ 3D闪存产能。这一系列动作表明，铠侠正从"存储供应商"向"AI算力基础设施参与者"转型，在巨头林立的存储市场寻找差异化突破口。

综合快科技、财联社、中国证券报报道 | 2026年9月5日