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🔥 美光大举扩产HBM4，年底月产能翻倍至10万片，AI存储军备赛全面升级

一、产能狂飙：从4万片到10万片的十年跨越

全球存储芯片巨头美光科技近日释放重磅扩产信号——计划到2026年底将HBM月产能从当前的4万至5万片提升至约10万片，规模接近翻倍。这一决策背后，是AI算力需求爆发式增长带来的巨大压力。当前，SK海力士和三星电子的HBM月产能分别维持在15万至20万片区间，美光作为第三大供应商，正通过激进扩产试图收窄与韩系双寡头的差距。

美光已向设备供应商追加订单，新设备正在中国台湾与新加坡生产基地安装。业内人士透露，美光计划新增最多6万片/月的HBM产能，若目标如期达成，其与韩系厂商的产能差距有望从目前的3至4倍收窄至约一半。

二、HBM4崛起：12层产品占比将升至五成

本次扩产的核心焦点是新一代HBM4产品。目前美光的HBM产出仍以12层HBM3E为主，但12层HBM4的占比预计将从2026年初的约20%至30%，提升至年底的最高50%。这一升级直接服务于英伟达下一代AI加速器Vera Rubin平台。

美光CEO Sanjay Mehrotra今年6月透露，12层HBM4的量产爬坡速度约为HBM3E的两倍，累计出货收入已突破10亿美元。专为Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12层产品已于今年第一季度开始量产出货，能效较上一代提升逾20%。公司同时已向客户送样48GB 16层HBM4，为下一代产品提前布局。

三、市场格局：三足鼎立中的美光反击战

据Counterpoint Research数据，2026年第二季度全球HBM市场份额为SK海力士50%、三星电子32%、美光18%。虽然美光仍是三大供应商中最小的一家，但此次扩产折射出AI存储需求的持续紧张。

AI加速器厂商对堆叠存储的消耗量不断攀升，可用产能已成为制约供应商出货与变现能力的核心因素。美光的扩产能否被市场消化，很大程度上取决于英伟达Vera Rubin平台的出货节奏。目前，HBM4产品几乎高度绑定英伟达的AI算力生态，扩产风险与机遇并存。

值得注意的是，美光已在为更下一代产品布局——预计HBM4E将于2027年开始放量，首批样品将采用1-gamma制程的DRAM模组打造，核心DRAM升级至首次导入EUV工艺的1γ技术，基底芯片转由台积电代工。这场AI存储军备赛，才刚刚进入白热化阶段。

综合财联社、快科技、21世纪经济报道报道 | 2026-09-05