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🔥 中微公司半年内第二次密集推新，六款高端半导体设备覆盖刻蚀薄膜全链条

一、半年两次密集推新，底气从哪来

8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）在无锡举行。中微公司（688012.SH）在展会期间一口气推出六款全新自主研发的高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键赛道。

这是继今年3月发布四款新品后，中微在半年内第二次密集推新。财报显示，2026年上半年研发投入约20.41亿元，同比增长36.89%，研发投入占营业收入比例约为30.52%。截至6月底，中微公司已开发出54种高端半导体设备，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。

中微公司资深副总裁丛海表示："这次发布的几款产品覆盖了从先进逻辑到先进存储再到先进封装和第三代半导体的需求，是中微公司向平台化的设备公司迈出的坚实一步。"

二、突破芯片制造三大核心瓶颈

中微此次瞄准了当前存储芯片制造中三个最为迫切的工艺瓶颈。首先是极高深宽比刻蚀。中微推出的PrimoXD-RIE刻蚀机，可实现70:1到90:1的极高深宽比刻蚀，采用完全自主知识产权，在多项核心技术上实现突破。

其次是超高层堆叠下的薄膜沉积。中微同步推出四款全新自研设备，其中12英寸原子层沉积金属钼设备Prefima Unicore AM，专为三维超高堆叠场景下的字线填充工艺设计。随着3D NAND堆叠层数突破300层，传统钨字线在电阻、氟基前驱体和深孔填充三方面触及物理极限，钼基替代成为必然趋势。

第三个瓶颈是碳化硅外延。同步推出的PRISMOPDS8碳化硅外延设备，基于中微在氮化镓外延MOCVD领域的技术积累，覆盖功率半导体制造的核心环节。

三、平台化战略锁定60%设备品类目标

从设备占比来看，随着3D NAND堆叠层数从32层增至128层，刻蚀设备在产线中的占比从34.90%提升至48.40%。中微的此次突破，为国内存储厂商在核心刻蚀环节提供了可对标国际一流水平的可选方案。

未来五年，中微计划通过自主研发和外延并购，力争覆盖集成电路约60%的设备品类，以及先进封装70%的设备品类。

根据国际半导体产业协会（SEMI）预测，全球半导体设备市场销售额2026年将增长23.2%，达到1659亿美元，到2028年将创下历史新高，达到2295亿美元。中微的platform化布局，正踩在国产替代加速的最关键节点上。

综合证券日报、21世纪经济报道、新华财经 | 2026-09-04