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🔥 中微公司半年内第二波高密度推新，刻蚀设备70:1→90:1深宽比突破，平台化战略加速落地

一、半年密集发布六款新品

9月1日至2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）在无锡举行。中微公司借此机会一口气发布六款全新自主研发的高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键工艺环节。这是继今年3月发布四款新品后，中微公司在短短半年内第二次高密度新品亮相。

中微公司资深副总裁丛海向证券日报记者介绍，此次推出的PrimoXD-RIE™刻蚀机可实现70:1到90:1的极高深宽比刻蚀，依托完全自主知识产权，在多项核心技术上实现突破。该设备采用全新自研工艺气体架构，在保障刻蚀性能的同时有效降低温室气体排放。

二、薄膜沉积矩阵补齐短板

薄膜沉积是中微此次发力重点。PerformoQuaStar®ON为PECVD系列首款产品，面向3D闪存氧化硅/氮化硅叠层沉积工艺，单系统最多可同时处理16片晶圆。同期发布的PerformoQuaStar®GE面向硅基PECVD介质薄膜，涵盖氧化硅、氮化硅、碳化硅等材料体系。

PrefimaUnicore™AM为12英寸ALD金属钼设备，专为三维超高堆叠场景下的字线填充工艺设计。中微公司方面称，该产品有望在全球存储厂商向钼基字线切换的产业趋势中占据先机。目前中微累计已有超过8800个反应台在国内外170多个客户、220余条生产线全面量产。

三、国产设备从"能用"到"好用"

国产半导体设备的突围已进入深水区。从成熟制程到先进封装，从刻蚀到薄膜沉积，中微公司的平台化战略正加速落地。公司规划通过自主开发与外延并购，实现覆盖60%以上集成电路高端设备市场和70%以上先进封装设备市场的目标。

综合证券日报、新华财经报道 | 2026年9月3日