🎯 科技 · 半导体设备

中微公司6款高端设备集中亮相，刻蚀深宽比突破90:1，国产半导体设备平台化布局再提速

一、六款新品齐发：覆盖刻蚀、薄膜沉积全链条

8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）在无锡举行，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称"中微公司"）推出六款自主研发的全新高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键工艺环节。这是中微公司继今年3月发布四款新品后，时隔半年再次高密度推新。

中微公司相关负责人向《证券日报》记者表示，此举进一步拓宽了高端设备产品矩阵，实现了先进逻辑制程、功率半导体工艺、薄膜沉积、精密刻蚀等核心环节的全覆盖。

二、刻蚀技术突破：70:1到90:1的极限跨越

随着3D NAND、DRAM等存储芯片向更高堆叠层数迭代，极高深宽比刻蚀技术成为先进存储器件制造的核心瓶颈。中微公司此次推出的PrimoXD-RIE™刻蚀机，可实现70:1到90:1的极高深宽比刻蚀，标志着国产刻蚀设备在超高层堆叠存储芯片制造领域取得关键突破。

中微公司资深副总裁丛海介绍，该设备依托完全自主知识产权研发打造，采用全新自研工艺气体架构，在保障刻蚀工艺性能的同时，有效降低温室气体排放，实现工艺性能与绿色生产的兼顾。设备具备多级脉冲功能的大功率高频射频电源，搭配可调波形大功率直流偏压电源，低温刻蚀系统全方位优化刻蚀精度与刻蚀效率，大幅拓宽工艺适配窗口。

三、国产替代提速：平台化布局优势凸显

东海证券研报指出，以某类3D NAND技术路线为例，在产能设定为150k片/月的产线中，堆叠层数从32层增至128层时，刻蚀设备所占比例从34.90%提升至48.40%。中微的这次尝试为国内存储厂商在核心刻蚀环节提供了可对标国际一流水平的可选方案。

国泰海通证券认为，全球半导体设备市场正进入由AI算力、先进逻辑和存储扩产共同驱动的新一轮上行周期，预计2026年全球设备销售额将达1659亿美元，同比增长23.2%。刻蚀、薄膜沉积、清洗等环节确定性高，国产份额持续提升。中微公司集中推新，正是踩中了这一轮半导体设备国产替代的超级周期。

综合证券日报、21世纪经济报道报道 | 2026年9月3日