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🔥 中微公司一口气发布六款高端设备，刻蚀技术突破90:1深宽比

一、半年内的第二次高密度推新

8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）在无锡举行。中微公司在此期间一口气推出六款自主研发的全新高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键工艺环节。这是中微继今年3月发布四款新品后，时隔半年再次高密度推新，实现先进逻辑制程、功率半导体工艺、薄膜沉积、精密刻蚀等核心环节的全覆盖。

其中最受瞩目的，是全新推出的PrimoXD-RIE™刻蚀机。该设备可实现70:1到90:1的极高深宽比刻蚀，这是当前3D NAND存储芯片向更高层数迭代的核心瓶颈技术。随着堆叠层数从数十层增至300层以上，刻蚀设备在芯片制造设备中的占比持续上升，东海证券研报指出，在150k片/月产能产线中，刻蚀设备占比从34.90%提升至48.40%。

二、300层以上的材料革命：从钨到钼

中微此次发布的另一款关键设备——Prefima Unicore™ AM，是一款12英寸原子层沉积金属钼设备，专为三维超高堆叠场景下的字线填充工艺设计。这一设备的意义在于，它瞄准的是3D NAND突破300层后绕不开的材料革命：传统钨字线在电阻、氟基前驱体和深孔填充三方面触及物理极限，而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，正成为300层以上3D NAND的"必选项"。

中微公司资深副总裁丛海表示，PrimoXD-RIE™依托完全自主知识产权研发，在多项有专利保护的核心技术上实现突破，包括首创的4区磁线圈聚焦等离子体分布调节组件及等离子体边缘鞘层主动调节技术。

三、国产半导体设备进入深水区

中微公司此次平台化布局的加速，折射出国产半导体设备产业正从"单点突破"迈向"全链条覆盖"。截至目前，中微累计已有超过8800个反应台在国内外170多个客户、220余条芯片及LED生产线全面量产。8月25日，公司宣布先进薄膜设备累计出货突破500个反应台，产品涵盖LPCVD、MDP、DDP等全系列。

但国产半导体设备的深水区远未到达。刻蚀和薄膜沉积虽然已实现突破，但离子注入机、量检测设备等"小而硬"的细分领域，仍是国产厂商必须啃下的硬骨头。当全球半导体产业进入后摩尔定律时代，AI算力需求以指数级攀升，美国对华半导体出口管制持续收紧，中国半导体设备产业正站在一个历史性的拐点——未来五年，将决定国产设备能不能进入先进产线、能不能支撑HBM的堆叠需求、能不能在最薄弱的环节实现真正的自主化。

综合证券日报、21世纪经济报道、钛媒体报道 | 2026年9月3日