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🔥 中微公司CSEAC 2026展发布六款高端设备，刻蚀深宽比达90:1，覆盖刻蚀/薄膜沉积/外延全链条
8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）在无锡举行。中微公司一口气推出六款自主研发的全新高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、PECVD、ALD、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键工艺环节。这是中微继今年3月发布四款新品后，时隔半年再次高密度推新，平台化战略持续提速。
随着3D NAND、DRAM等存储芯片向更高堆叠层数迭代，极高深宽比刻蚀技术成为先进存储器件制造的核心瓶颈。中微此次推出的PrimoXD-RIE刻蚀机，可实现70:1到90:1的极高深宽比刻蚀，在多项有专利保护的核心技术上实现突破。设备采用业内首创的4区磁线圈聚焦等离子体分布调节组件，适配极端、高精度的严苛工艺工况。
二、薄膜沉积全线补齐在薄膜沉积领域，中微同步推出四款全新自研设备。PerformoQuaStar系列PECVD产品面向3D闪存氧化硅/氮化硅叠层沉积工艺，单系统最多可同时处理16片晶圆。PerformoQuaStar GE面向硅基PECVD介质薄膜，涵盖氧化硅、氮化硅等五大材料体系。四款设备的集体亮相，标志着中微在薄膜沉积环节完成了从"单点突破"到"全线覆盖"的跨越。
值得关注的是Prefima Unicore AM——12英寸ALD金属钼设备，专为三维超高堆叠场景下的字线填充工艺设计。3D NAND堆叠突破300层后，传统钨字线在电阻、氟基前驱体和深孔填充三方面触及物理极限，而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体等优势成为新方向。中微有望在全球存储厂商向钼基字线切换的产业趋势中占据先机。
三、平台化目标：覆盖60%以上高端设备市场公开资料显示，中微公司自2004年成立以来，已开发出54种高端半导体设备，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产。2012年至今，中微连续14年保持年销售35%以上的增长，人均年销售额达450万元。目前中微五十多种设备产品已覆盖超过30%前道集成电路设备市场。公司计划未来覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场。
综合证券日报、21世纪经济报道报道 | 2026年9月3日