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🔥 三星发布HBM5与zHBM路线图，性能目标分别为HBM4E的2倍和8倍，3D结构创新成核心竞争力
9月3日，三星电子公布下一代存储路线图，宣布计划将HBM5性能提升至HBM4E的2倍，后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。这一举措标志着存储巨头正以3D结构创新为核心，全力争夺下一代存储器市场主导权。
HBM（高带宽内存）是当前AI训练和推理芯片的核心组件。随着大语言模型参数量突破万亿级，对大容量、高带宽存储器的需求呈指数级增长。三星此次公布的路线图显示，其不仅关注性能提升，还在同步推进zNAND-O的开发，以满足AI数据中心对存储容量的更大需求。
天风证券分析指出，行业龙头已将先进制程产能优先投向HBM，这一策略正在挤压消费电子所需的DRAM和NAND产能，形成"高端紧缺+成熟收缩"的双层供需紧张格局。后续行业将形成"HBM最为紧缺、服务器DRAM紧随其后、NAND率先分化"的供应态势。
受此消息影响，A股存储赛道早盘拉升。博杰股份涨超5%，蓝晓科技、联颖科技、德邦科技涨超4%，长鑫科技涨超3%。与此同时，美国商务部长卢特尼克周三表示，特朗普政府正在考虑新一轮进口半导体关税，可能进一步提高对外国芯片的征税力度，以吸引更多半导体制造业转移至美国。
韩国总统府青瓦台对此作出回应，称具体内容尚未最终确定，政府将努力防止此类措施对韩国企业产生不利影响。在全球半导体供应链重构的背景下，存储芯片的战略地位愈发凸显，各国争相布局下一代存储技术已成必然趋势。
综合界面新闻、财闻报道 | 2026年9月3日