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🔥 三星HBM5性能较HBM4E翻倍，zHBM架构将存储直接堆叠于AI芯片上方

一、HBM5来了：性能翻倍、功耗降低20%

9月1日，三星电子在SEMICON Taiwan 2026上公布下一代存储技术路线图。HBM5计划采用2纳米制程基础芯片，提供12层、16层和20层DRAM堆叠方案，目标性能达到HBM4E的2倍，单瓦性能提升20%，热阻降低20%，预计于2028年前后实现量产。

HBM（高带宽内存）是AI芯片的"命脉"。随着大模型参数规模突破万亿级，GPU对内存带宽的需求呈指数级增长。HBM通过3D堆叠和宽位宽接口，成为满足AI算力需求的关键存储方案。目前HBM已超越SoC处理器，成为旗舰智能手机中最昂贵的单一元器件，在AI服务器领域更是不可或缺。

二、zHBM架构：存算一体，性能再翻8倍

三星同时披露了更具前瞻性的zHBM架构。该方案计划将HBM直接堆叠于AI加速器处理器上方，实现存算距离的大幅缩短。目标性能达到HBM4E的8倍，单瓦性能提升3倍，热阻降低75%至90%，预计2029年之后推出。

存算一体是突破"内存墙"的关键路径。传统冯·诺依曼架构中，处理器和存储器分离，数据在两者间频繁搬运消耗大量时间和能耗。zHBM将存储直接置于计算单元上方，相当于把"仓库"搬到了"工厂"楼顶，数据搬运距离从厘米级缩短至微米级，能效比实现质的飞跃。

三、半导体设备市场迎新一轮上行周期

国泰海通证券分析认为，2026年全球半导体设备市场进入由AI算力、先进逻辑和存储扩产共同驱动的新一轮上行周期，预计市场规模同比增长23.2%至1659亿美元，2028年有望达2295亿美元。

中国设备厂商的增长动力主要来自先进制程、先进存储、先进封装的结构性扩产及国产设备份额提升。刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP等环节确定性较强，量检测、先进封装设备和高端测试设备则具备较高弹性。三星HBM5和zHBM的路线图发布，进一步印证了全球存储竞争正从单纯提高堆叠层数，转向先进制程、3D集成和存算距离的系统级竞争。

综合界面新闻、每日经济新闻、国泰海通证券报道 | 2026年9月3日