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🔥 国产半导体设备从"能用"迈入"好用"，中微公司半年内第二次密集发布6款高端设备，刻蚀+薄膜沉积双轨并进

一、半年两波发布，国产设备节奏超预期

9月1日，在无锡举办的CSEAC 2026展会上，中微公司一口气发布6款全新自主研发的高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键赛道。这是继今年3月SEMICON China发布四款新品后，半年内第二次高密度新品集中亮相，充分展现了公司强劲的技术迭代能力。

中微公司集团副总裁陶珩向媒体表示，此次发布的多款设备均为自主研发，可应用于先进逻辑制程、功率半导体工艺、薄膜沉积、精密刻蚀等核心环节。从2004年成立至今，中微公司已开发出54种高端半导体设备，截至2026年6月底，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产。

二、刻蚀突破：破解极高深宽比核心瓶颈

在刻蚀设备方面，中微公司全新推出的Primo XD-RIE™极高深宽比刻蚀机，可实现70到90比1的极高深宽比，依托完全自主知识产权研发打造，在多项有专利保护的核心技术上实现突破。该设备采用全新自研工艺气体架构，在保障刻蚀工艺性能的同时，有效降低温室气体排放，实现工艺性能与绿色生产的兼顾。

随着3D NAND、DRAM等存储芯片持续向更高堆叠层数迭代升级，极高深宽比刻蚀技术成为制约先进存储器件制造工艺进阶的核心瓶颈。中微这款设备采用多级脉冲功能的大功率高频射频电源，搭配可调波形大功率直流偏压电源，低温刻蚀系统全方位优化刻蚀精度与效率，大幅拓宽工艺适配窗口。

三、薄膜沉积四箭齐发，国产供给紧张局面缓解

薄膜沉积方向上，中微本次推出四款新品，覆盖高端三维存储与先进逻辑芯片的核心薄膜工艺环节。其中Performo QuaStar®系列直面3D闪存制造的氧化硅/氮化硅叠层沉积工艺，单系统最多可同时处理16片晶圆；Prefima Unicore™ AM是12英寸原子层沉积金属钼设备，专为三维超高堆叠场景下的字线填充工艺打造。

更值得关注的是，中微公司8月25日宣布先进薄膜设备累计出货突破500个反应台，薄膜业务已成长为又一核心增长板块。公司董事长尹志尧透露，公司50多种设备已覆盖超过30%前道集成电路设备产品，未来5年目标覆盖60%以上集成电路高端设备市场和70%以上先进封装设备市场。

综合上海证券报、科创板日报、财联社报道 | 2026年9月2日