8月27日，SK海力士在美国印第安纳州西拉法叶（普渡大学研究园区）举行了奠基仪式，启动美国首座HBM（高带宽内存）先进封装工厂建设。项目总投资超过40亿美元，其中美国政府通过CHIPS法案提供约4.58亿美元直接拨款和最高5亿美元贷款。
关键数据：
• 2028年下半年开始运转，2029年Q3量产HBM4E
• 年处理数十万片DRAM晶圆，创造约7000个就业机会
• SK海力士目前占全球HBM市场58%份额，领先三星和美光
• 主要客户包括英伟达、微软、谷歌等AI芯片巨头
HBM是AI芯片的关键瓶颈，SK海力士此举标志着美国本土HBM生产的首次突破，但也意味着未来3年内AI算力仍将依赖韩国供应。CEO郭诺定预测，当前内存短缺将持续至2030年底。
#888; font-size:13px; margin-top:20px; border-top:1px solid#eee; padding-top:12px;">来源：PR Newswire / WWD / 赛迪网 · 2026-09-01