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🔥 长鑫HBM3E风险试产启动，国产AI芯片摆脱存储"卡脖子"迎来关键转折

一、HBM3E试产，国产高端存储迈出关键一步

9月1日，快科技报道，长鑫存储已正式启动HBM3E内存的风险试产，成为继SK海力士、三星、美光之后全球第四家具备HBM3E量产能力的厂商。HBM3E是目前AI加速卡的核心存储，NVIDIA H200和B300系列均依赖这一规格。

按照JEDEC规范，HBM3E采用1024-bit位宽，单引脚速率9.2Gbps至12.4Gbps，典型配置9.6Gbps下总带宽可达1.2TB/s。8层堆叠提供24GB容量，12层堆叠可达36GB，为AI加速器与数据中心提供高带宽、大容量的内存支撑。

二、从试产到量产，速度值得期待

长鑫存储的DDR5产品此前曾在极短时间内从试产转为大规模出货，市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，而业内同行通常需要两年时间。

摩根士丹利分析称，预计到今年年底，长鑫月晶圆产能将达到30万片，约占全球DRAM晶圆产能的13%；到2027年，月产能还将进一步提升至50万片。该机构预计长鑫存储2026年全年营收将达到3889亿元人民币。

三、国产AI芯片"卡脖子"有望缓解

值得关注的是，寒武纪、阿里平头哥等国内芯片设计团队正测试HBM3E与自研处理器的适配性。此前，国产AI芯片一直面临HBM供应受限的困境，只能使用GDDR6或DDR4作为替代方案，带宽和能效与HBM差距明显。

国产HBM3E若成功量产，寒武纪、海光信息等国产AI芯片将首次获得配套的HBM存储方案，供应链安全得到实质性改善。机构分析认为，虽然与SK海力士、三星仍存在约两代差距，但对当前国产AI芯片而言已经够用，这是从无到有的里程碑式突破。

综合快科技、界面新闻、摩根士丹利报道 | 2026年9月1日