🔬 半导体 · 知识产权

🔥 时隔25年首次大修，集成电路布图设计保护迎来全面升级，维权力度与激励创新双管齐下。

一、25年来首次大修，6章54条全面升级

2026年8月3日，国务院总理李强签署第842号国务院令，公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》，定于2026年10月15日起正式施行。这是自2001年原条例颁布以来首次全面修订，从原6章41条扩展至6章54条，覆盖范围大幅拓宽。

此次修订明确将集成光子、量子等功能的集成电路布图设计纳入可保护范围，直指前沿技术赛道。业内人士指出，光子芯片和量子芯片是后摩尔时代的关键方向，条例此番扩展等于为下一代半导体创新提前上了"知识产权保险"。

二、四大核心改革：从审查到维权全链路强化

修订内容归纳为四大方向：一是明确总体要求，强调贯彻知识产权战略部署，扩展保护范围并强调诚实信用；二是完善申请审查程序，规制虚假申请、细化材料要求，并新增权利恢复程序，避免申请人因疏忽失去保护资格；三是加强专有权保护，明确权利范围界定标准，显著加大侵权赔偿力度；四是促进布图设计运用，加强公共服务、明确奖酬措施，完善转让许可规则。

尤其值得关注的是侵权赔偿力度的提升。过去集成电路设计被抄袭后维权成本高、赔偿低，直接打击了中小设计企业的创新积极性。此次加大赔偿力度，释放了"创新者不吃亏"的政策信号。

三、产业影响：为半导体自主创新注入强心针

当前全球芯片竞争白热化，中国半导体产业正处于从"跟跑"到"并跑"的关键期。修订后的条例恰逢其时：申请流程简化降低企业合规成本，保护范围扩大覆盖前沿技术，侵权赔偿加码威慑抄袭行为。一套"保护+激励"的组合拳，为国产芯片设计企业吃下了一颗定心丸。

值得注意的是，条例与今年7月国务院印发的《知识产权保护和运用"十五五"规划》形成呼应，共同构建起覆盖芯片设计、制造到应用的全链条知识产权保护体系。

综合新华社、中国政府网、国家知识产权局报道 | 2026年8月9日